检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:张浩[1]
机构地区:[1]中国航空工业总公司第六一五研究所
出 处:《电子产品世界》1998年第7期63-63,47,共2页Electronic Engineering & Product World
摘 要:随着半导体技术的飞速发展,各种存储器相继推出,性能不断提高。目前,存储器主要有以下几种类型:静态 RAM(SRAM),动态 RAM(DRAM)EPROM,EEPROM,FLASHMEMORY。这里讨论一种由普通SRAM、后备电池以及相应控制电路集成的新型存储器:非易失性 SRAM(NVSRAM)。众所周知,普通 SRAM 在电源掉电后,其中的数据随即消失,再次加电后,
关 键 词:SRMA 非易失性 存储器 静态RAM 动态RAM
分 类 号:TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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