Sanken公司开发出第一个GaN／Si换流器  

作　　者：邓志杰（摘译） 

出　　处：《现代材料动态》2009年第6期10-10,共1页Information of Advanced Materials

摘　　要：日本Sanken电气公司首次研制出用GaN，si晶体管的电源电路，是用自己的外延技术制出的。该公司己制成常关型FET，其栅宽157ram、阈值电压1V，开态电阻72mΩ，其栅漏电流比通常的常开FET小4个数量级。该公司利用击穿电压800V的GaNFET制出了换流器，可有效用于功率应用；这些器件还在进一步开发中，皆在将芯片尺寸缩小到通常SiMOSFET的l，7并在近期内将其商品化。该公司是用5寸Si片用MOCVD沉积GaN材料，其中沉积了多个GaN／AlN缓冲层以释放出最终沉积的QN膜中的张力应力，外延层无坑、

关 键 词：GAN材料 SANKEN 换流器 SI 开发 MOCVD 电气公司 电源电路 

分 类 号：TN312.8[电子电信—物理电子学] TN773