GaAlAs高功率短波长超辐射集成光源  

作　　者：赵永生[1] 杜国同[1] 韩伟华[1] 付艳萍[1] 李雪梅[1] 宋俊峰[1] 姜秀英[1] 高鼎三[1] Gregory Devane Kathleen A.Stair R.P.H.Chang 

机构地区：[1]吉林大学电子工程系及集成光电子学国家重点实验室 [2]Northwestern University, Evanston IL60208-3108, U.S. A

出　　处：《自然科学进展（国家重点实验室通讯）》1998年第4期488-492,共5页

基　　金：国家自然科学基金(批准号:69577008)

摘　　要：为解决超辐射发光管输出功率低的问题,利用半导体锥形光放大器对超辐射光加以放大,并采用直接耦合方式将超辐射发光管与半导体锥形光放大器进行单片集成,器件初步采用了GaAlAs SQW双异质结和氧化物条形增益波导结构。实验结果表明,该器件的锥形放大器可将超辐射发光管发出的光放大22dB,在脉冲条件下超辐射输出功率达580mW。

关 键 词：超辐射发光管 锥形光放大器 单片集成 半导体 

分 类 号：TN36[电子电信—物理电子学] TN201