SIT耐压容量的控制和工艺调节  

Control on VoltageWithstandCharacteristics of Static Induction Transistor

作　　者：刘瑞喜[1] 李思渊[1] 何山虎[1] 

机构地区：[1]兰州大学

出　　处：《半导体技术》1998年第4期19-22,共4页Semiconductor Technology

摘　　要：对静电感应晶体管（ＳＩＴ）栅－漏、栅－源击穿电压的控制和工艺调节方法进行了探讨，对栅－源连通和栅－漏耐压的钳位问题进行了分析。In this paper the general control principle and method on GD and GS breakdown voltages are reported and switchon of gatesource and clampon of gatedrain are analyzed also.

关 键 词：SIT 耐压 静电感应晶体管 制造工艺 

分 类 号：TN386.705[电子电信—物理电子学]