一种单端匹配式PIN单刀单掷功率开关芯片  被引量:3

Single-Port Absorptive PIN SPST Power Switch MMIC

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作  者:贾玉伟[1,2] 许春良[1] 魏洪涛[1] 喻梦霞[2] 高学邦[1] 

机构地区:[1]中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051 [2]电子科技大学,成都610054

出  处:《半导体技术》2009年第7期704-707,共4页Semiconductor Technology

基  金:国家重点基础研究发展计划资助(2009CB320200)

摘  要:采用PIN二极管工艺技术,设计、制作了一种微波单端匹配式PIN单刀单掷功率开关芯片,并给出了详细测试曲线。该开关由四级PIN二极管组成,采用单端匹配结构。工作频率8~10GHz,整个带内插入损耗小于0.7dB,输出端口驻波比小于1.4:1,输入端口开关态驻波比均小于1.4:1,在9GHz点频下测得1dB压缩点输入功率大于31dBm,芯片内部集成偏置电路,采用+5V/-5V供电,在+5V工作条件下,电流20mA。该芯片面积为2.0mm×1.4mm。A single-port absorptive PIN SPST power switch MMIC was designed, fabricated and tested. The switch incorporates four PIN diodes using a configure of single-port match. In the frequency range of 8 to 10 GHz, the insertion loss is less than 0.7 dB, VSWR of output port is less than 1.4 : 1, VSWR of input port is less than 1.4 : 1 in both on and off states. At 9 GHz, 1 dB compression input power is greater than 31 dBm. The switch is integrated of bias circuit, it can be directly driven by + 5 V/- 5 V supply, with a current of 20 mA under + 5 V supply. The chip area is 2.0 mm × 1.4 mm.

关 键 词:单端匹配 功率 微波单片集成电路 单刀单掷 PIN二极管 插入损耗 

分 类 号:TM56[电气工程—电器]

 

参考文献:

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