兼具超结技术和传统高压器件优势的下一代CoolMOS MOSFET  

出　　处：《电子设计工程》2009年第7期128-128,共1页Electronic Design Engineering

摘　　要：英飞凌推出下一代高性能金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）600 V CoolMOS C6系列。有了600 V CoolMOS C6系列器件，诸如PFC（功率因数校正）级或PWM（脉宽调制）级等能源转换产品的能源效率可得到大幅提升。全新C6技术融合了现代超结结构及包括超低单位面积导通电阻（例如采用TO-220封装，电阻仅为99mΩ）在内的补偿器件的优势，同时具有更低的电容开关损耗、更简单的开关特性控制特性和更结实耐用的增强型体二极管。

关 键 词：COOLMOS 高压器件 技术融合 MOSFET 金属氧化物半导体场效应晶体管 优势 传统 功率因数校正 

分 类 号：TN86[电子电信—信息与通信工程] TN303