新一代CoolMOS C6和第三代SiC二极管提高综合性能  

作　　者：陆楠 

出　　处：《电子设计技术 EDN CHINA》2009年第8期26-26,共1页EDN CHINA

摘　　要：英飞凌日前推出下一代MOSFET 600V CoolMOS C6系列，可以将PFC或PWM电源转换产品的电源效率大幅提升。全新C6技术融合了超结结构及包括超低单位面积导通电阻在内的补偿器件的优势，同时具有更低的电容开关损耗、更简单的开关特性控制特性和更结实耐用的增强型体二极管。

关 键 词：MOSFET COOLMOS OPTIMOS 英飞凌 

分 类 号：TN86[电子电信—信息与通信工程] TM46[电气工程—电器]