OPTIMOS

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英飞凌为汽车应用推出业内导通电阻最低的80OV MOSFET OptiMOS^(TM)7
《变频器世界》2024年第4期42-42,共1页
2024年4月15日,英飞凌科技股份公司推出其最新先进功率MOSFET技术——OptiMOS^(TM)780V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高,和采用通用且稳健的高电流SSO8 5×6mm²SMD封装。这款OptiMOS^(TM)780V产品非常适合...
关键词：导通电阻 英飞凌科技 功率MOSFET 电机控制 电动汽车 稳健性 TM 功率密度 
英飞凌推出面向汽车应用的新型OptiMOS 740V MOSFET系列,改进导通电阻、提升开关效率和设计鲁棒性
《世界电子元器件》2023年第6期50-50,共1页
英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)推出OptiMOSTM740V MOSFET系列。作为英飞凌最新一代面向汽车应用的功率MOSFET,OptiMOSTM740V MOSFET提供多种无引脚、坚固的功率封装。该系列产品采用了300毫米薄晶圆技术和创新的封装...
关键词：功率MOSFET 导通电阻 英飞凌科技 开关效率 功率封装 系列产品 性能优势 
英飞凌OptiMOS源极底置功率MOSFET系列新添PQFN封装的40V装置
《半导体信息》2020年第6期13-14,共2页
当代的电源系统设计需要高功率密度等级和精巧的外型尺寸,以期得到最高的系统级性能。英飞凌科技股份公司通过专注于强化元器件产品达到系统创新,来应对这一挑战。继2月份推出25V装置后,英飞凌又推出了OptiMOS 40V低电压功率MOSFET,采...
关键词：功率MOSFET 英飞凌科技 源极 SMPS 电动工具 元器件产品 电池保护 外型尺寸 
英飞凌推出基于PQFN 3.3×3.3mm封装的OptiMOS源极底置25V功率MOSFET
《半导体信息》2020年第1期7-8,共2页
英飞凌科技股份公司通过专注于解决当前电源管理设计面临的挑战,来实现系统创新和组件水平的改进。"源极底置"是符合行业标准的全新封装概念。英飞凌已推出第一批基于该封装概念的功率MOSFET,它们是采用PQFN 3.3×3.3mm封装的OptiMOS 25...
关键词：功率MOSFET 英飞凌科技 电源管理 源极 行业标准 封装 股份公司 
儒卓力提供高效率的英飞凌OptiMOS功率MOSFET
《单片机与嵌入式系统应用》2019年第9期96-96,共1页
英飞凌OptiMOS 3和5同类最佳(BiC)功率MOSFET采用节省空间的SuperSO8封装,与先前型号相比,具有更高的功率密度和稳健性,从而降低系统成本和提升整体性能。由于具有最低的导通电阻(RDS(on)),这些BiCMOSFET能够以良好的性价比降低损耗。此...
关键词：功率MOSFET 英飞凌 散热性能 工程成本 功率密度 导通电阻 反向恢复 缓冲电路 
OptiMOS推出线性场效应晶体管兼具低RDS(on)值与大安全工作区
《半导体信息》2017年第4期12-13,共2页
英飞凌科技股份公司推出OptiMOS线性场效应晶体管系列。这个全新产品系列兼具沟槽型功率场效应管的低导通电阻（RDS（on））与平面MOSFET的大安全工作区。这就解决了RDS（on）与线性模式功能之间的平衡问题。
关键词：RDS(ON) 场效应晶体管 安全工作区 线性模式 MOSFET 功率场效应管 低导通电阻 股份公司 
OptiMOS^(TM) 300V提高硬开关应用的效率,支持新型设计
《电子设计工程》2015年第12期77-77,共1页
英飞凌科技股份公司（FSE：IFX/OTCQX：IFNNY）推出OptiM OSTM 300 V,壮大中压MOSFET产品阵容,树立功率场效应管市场新标准。300 V OptiM OSTM的发布有助于英飞凌进一步巩固其在通信电源、不间断电源（UPS）、电机控制、工业电源、和DC...
关键词：英飞凌科技 高开关频率 产品阵容 硬开关 OPTIMOS TM 市场领导地位 功率密度 不间断电源 通信电源 
e络盟进一步扩充英飞凌CoolMOS^(TM)与OptiMOS^(TM)系列功率MOSFET,支持亚太区电子产品设计
《半导体信息》2015年第1期3-4,共2页郑畅 
e络盟日前宣布新增来自全球半导体和系统解决方案领先提供商英飞凌的CoolMOSTM与OptiMOSTM系列产品,进一步扩充其功率MOSFET产品组合。该系列产品可为开关电源（SMPS）应用提供优异性能,从而实现更高效率、更高...
关键词：英飞凌 COOLMOS OPTIMOS TM 电子产品设计 开关电源 SMPS 系列产品 产品组合 领先产品 
英飞凌全新推出的汽车电源管理40V P沟道OptiMOS P2芯片可改进EPS、电机控制装置和电动泵的能效并节约成本
《电子设计工程》2011年第18期74-74,共1页
英飞凌科技股份公司（FSE：IFX／OTCQX：IFNNY）日宣布推出采用先进沟道工艺制造的全新单P沟道40V汽车电源MOSFET产品系列。全新的40VOptiMOSP2产品为能效改进、碳减排和成本节约树立了行业新标杆，从而进一步巩固英飞凌在新一代汽车电...
关键词：汽车电源 电源管理 P沟道 电机控制装置 节约成本 能效 EPS 电动泵 
英飞凌高标准节能技术助全球降低能耗
《电子设计技术 EDN CHINA》2011年第8期20-20,22,共2页姚钢 
高能效之道就是产品和解决方案要确保大幅降低电子设备和机器的能耗。英飞凌通过提供最新的IGBT、CoolMOS、OptiMOS和碳化硅（SiC）等产品,最多可将现行总能耗降低25%。英飞凌称,其节能效果甚至超过了国际能效标准。由于采用CoolMOS芯片...
关键词：IGBT COOLMOS OPTIMOS 碳化硅SiC 英飞凌 
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