英飞凌推出基于PQFN 3.3×3.3mm封装的OptiMOS源极底置25V功率MOSFET  

出　　处：《半导体信息》2020年第1期7-8,共2页Semiconductor Information

摘　　要：英飞凌科技股份公司通过专注于解决当前电源管理设计面临的挑战,来实现系统创新和组件水平的改进。"源极底置"是符合行业标准的全新封装概念。英飞凌已推出第一批基于该封装概念的功率MOSFET,它们是采用PQFN 3.3×3.3mm封装的OptiMOS 25V功率M0SFET。

关 键 词：功率MOSFET 英飞凌科技 电源管理 源极 行业标准 封装 股份公司 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]