AlN/W多层体共烧过程中的应力  

SINTERING STRESSES IN CO_SINTERED AlN/W MULTILAYER SUBSTRATES

作　　者：梁彤翔[1] 朱钧国[1] 杨冰[1] 张秉忠[1] 彭新立[1] 王英华[2] 李恒德[2] 

机构地区：[1]清华大学核能技术设计研究院 [2]清华大学材料科学与工程系

出　　处：《硅酸盐学报》1998年第3期286-291,共6页Journal of The Chinese Ceramic Society

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：研究了１８５０℃高温烧结ＡｌＮ／Ｗ多层体烧结应力状态和产生原因，结果表明ＡｌＮ与Ｗ在１８５０℃共烧时，不同阶段下烧结应力状态有所不同：在升温阶段，Ｗ层受平面拉应力作用，Ｗ层烧结速率降低，导致表面Ｗ膜内存在大量空洞；而内部Ｗ布线受到径向拉应力的作用．在保温阶段，与表面Ｗ焊盘接触的ＡｌＮ受到拉应力的作用；与内部Ｗ线接触的ＡｌＮ受到环向拉应力的作用．由于环向拉应力的存在，导致ＡｌＮ的烧结速度和烧结密度显著降低。The states and the causes of sintering stress produced in AlN/W co_sintered multilayer substrates were studied. Stress states are different in two stages:in the sintering stage,in_plane stresses are developed in W film which leads to high porosity and reducation of sintering rate; in the soaking stage, radial stresses are developed in AlN near the AlN/W interface, which reduces the shrinkage rate and density of AlN ceramic.

关 键 词：应力 多层基板 电子封装 氮化铝陶瓷 烧结 

分 类 号：TQ174.758[化学工程—陶瓷工业] TQ174.652[化学工程—硅酸盐工业]