恩智浦推出全球首款低于1Ω、采用Power SO8封装的MOSFET  

出　　处：《电子与电脑》2009年第8期63-63,共1页Compotech

摘　　要：恩智浦半导体（NXP Semiconductors）宣布推出全球首款N通道、1mΩ以下25VMOSFET产品,型号为PSMN1R2-25YL,它拥有最低的导通电阻RDSon以及一流的FOM参数。该产品是迄今为止采用Power-SO8封装（无损耗封装：LFPAK）中拥有最低导通电阻RDSon的MOSFET,也是恩智浦现有MOSFET系列的延伸。最新一代MOSFET器件集高性能Power—S08 LFPAK封装与最新Trench 6硅技术于一体．可在各种严苛应用条件下提供诸多性能及可靠性优势．

关 键 词：MOSFET器件 无损耗封装 POWER LFPAK封装 低导通电阻 半导体 N通道 FOM 

分 类 号：TN386.1[电子电信—物理电子学] TN433