蓝光波段高反射率AlN／GaN分布布拉格反射镜的制作  

Growth of High-reflectivity AlN/GaN Distributed Bragg Reflectors in Blue Region

作　　者：吴超敏[1] 尚景智[1] 张保平[1,2] 余金中[1,3] 王启明[1,3] 

机构地区：[1]厦门大学物理系,半导体光子学研究中心,福建厦门361005 [2]厦门大学萨本栋微机电研究中心,福建厦门361005 [3]中国科学院半导体研究所集成光电子学国家联合重点实验室,北京100083

出　　处：《半导体光电》2009年第4期555-557,561,共4页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：国家“863”计划资助项目(2006AA03Z409)

摘　　要：采用金属有机物化学气相沉积方法制备了蓝光波段高反射率AlN/GaN分布布拉格(DBR)反射镜。利用金相显微镜、扫描电子显微镜、原子力显微镜以及分光光度计等测量手段对样品的物理特性进行了分析表征。结果显示样品的表面有少量圆形台面结构和裂纹出现,但在其他区域,样品具有较为平整的表面。该样品在462.5 nm附近获得最大反射率99.4%,表面均方根粗糙度小至2.5 nm。分析表明,所得DBR达到了制备GaN基垂直腔面发射激光器的要求。One high-reflectivity A1N/GaN distributed Bragg reflector （DBR） in blue region was grown with the method of metalorganic chemical vapor deposition （MOCVD）. perties of the sample were analyzed by using, scanning electron microscope （SEM）, atomic force microscopy （AFM） and spectrophotometer. Except for the circular mesa structure and a few cracks observed on the surface, the sample showed a rather smooth surface. A peak reflectivity of 99. 4% was observed around 462.5 nm and the surface roughness was as small as 2.5 nm. The properties of the DBR meet the requirements of GaN-based vertical cavity surface emitting lasers （VCSEL）.

关 键 词：金属有机物化学气相沉积 分布布拉格反射镜 高反射率 氮化物 

分 类 号：TN248.4[电子电信—物理电子学]