KrF准分子激光直接消融深层光刻紫外光刻胶实验研究  

GGSTUDY OF DIRECT DEEPETCH PHOTORESIST VIA KrF EXCIMER LASER ABLATION

作　　者：沈蓓军[1] 王润文[1] 路敦武[1] 王立鼎[2] 梁静秋[2] 姚劲松[2] 

机构地区：[1]中国科学院上海光学精密机械研究所 [2]中国科学院长春光学精密机械研究所

出　　处：《功能材料与器件学报》1998年第2期126-130,共5页Journal of Functional Materials and Devices

基　　金：国家攀登计划B的资助

摘　　要：介绍了利用激光ＬＩＧＡ工艺中的激光深层光刻技术对紫外光刻胶进行深层光刻的实验研究成果，对远紫外激光与光刻胶相互作用的机理进行了讨论，给出了ＫｒＦ准分子激光刻蚀紫外光刻胶的能量阈值以及激光能量密度与刻蚀深度的关系曲线，最后对方法的应用前景及进一步改进的设想进行了讨论。おhe paper reports the research result of deepetch photoresist experiment by laser LIGA deepetch lithography technology. The discussion of laser ablation mechanism of photoresist, the relation between photoresist etch depth and KrF excimer laser intensity and its threshold intensity are presented. In the end the application prospect and further improvement of the method are discussed. 

关 键 词：激光 光刻 微细加工 LIGA工艺 IC工艺 

分 类 号：TG665[金属学及工艺—金属切削加工及机床] TN405.98[电子电信—微电子学与固体电子学]