本征缺陷对Ag掺杂ZnO的影响  

Influence of Intrinsic Defects on Ag-doped ZnO

作　　者：万齐欣[1] 熊志华[1] 李冬梅[1] 刘国栋[1] 甘丽新[1] 

机构地区：[1]江西科技师范学院,江西省光电子与通信重点实验室,南昌330013

出　　处：《人工晶体学报》2009年第5期1202-1206,共5页Journal of Synthetic Crystals

基　　金：国家自然科学基金(No.60767001);福建师范大学医学光电子科学与技术教育部重点实验室开放基金(No.JYG0802);江西省教育厅科技项目(赣教技字[2007]281号)

摘　　要：采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法对Ag掺杂ZnO体系中Ag缺陷和本征缺陷复合体的几何结构、形成能和电子结构进行了比较研究。研究表明,Ag代替Zn位(AgZn)可以在ZnO中形成受主能级。同时,研究发现,Zni-AgZn和Oi-AgZn的形成能较小,存在的可能性较大。其中,Zni-AgZn呈现明显的n型导电特性,而Oi-AgZn具有p型导电的趋势。因此Oi-AgZn有利于p型ZnO的形成。The first-principles with pseudopotentials method based on the density functional theory was applied to calculate the geometric structure,the formation energy of impurities and the electronic structure of Ag-related defects in Ag-doped ZnO. The results indicated that Ag substituting on Zn site behaved as an acceptor. In Ag-doped ZnO,Zni-AgZn and Oi-AgZn complexes are the most possible complex defect,and Oi can improve the stability and solubility of AgZn defects.

关 键 词：Ag掺杂ZnO 本征缺陷 第一性原理 电子结构 

分 类 号：TG174.44[金属学及工艺—金属表面处理]