李冬梅

作品数：6被引量：15H指数：2
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供职机构：江西科技师范学院更多>>
发文主题：ZNO本征缺陷电子结构第一性原理ZNO薄膜更多>>
发文领域：理学电子电信金属学及工艺电气工程更多>>
发文期刊：《南昌大学学报（理科版）》《江西科学》《人工晶体学报》《功能材料与器件学报》更多>>
所获基金：国家自然科学基金江西省教育厅科学技术研究项目电子信息产业发展基金国家高技术研究发展计划更多>>
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闪锌矿Ga_(1-x)Cr_xN铁磁性的密度泛函理论(英文)
《功能材料与器件学报》2009年第3期269-274,共6页熊志华 孙振辉 彭建飞 李冬梅 万齐欣 刘国栋 汪胜前 施思齐 
National Natural Science Foundation of China(Grant Nos,10564002,10604023,60767001);Qianjiang Talent Project of Zhejiang Province(Grant No.2007R10028);Science and Technology foundation of Jiangxi province Education Department((Grant No,2007281)
采用基于密度泛函的第一性原理方法计算了闪锌矿GaN掺Cr的电子结构和磁性。考虑不同掺杂浓度和位置,计算结果表明,Ga1-xCrxN呈现铁磁基态,Cr原子间是铁磁性耦合并团簇于N原子,Cr原子与最近邻N原子为反铁磁性耦合。我们采用双交换机制解...
关键词：铁磁性 闪锌矿Ga1-xCRxN 密度泛函理论 
本征缺陷对Ag掺杂ZnO的影响被引量：7
《人工晶体学报》2009年第5期1202-1206,共5页万齐欣 熊志华 李冬梅 刘国栋 甘丽新 
国家自然科学基金(No.60767001);福建师范大学医学光电子科学与技术教育部重点实验室开放基金(No.JYG0802);江西省教育厅科技项目(赣教技字[2007]281号)
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法对Ag掺杂ZnO体系中Ag缺陷和本征缺陷复合体的几何结构、形成能和电子结构进行了比较研究。研究表明,Ag代替Zn位(AgZn)可以在ZnO中形成受主能级。同时,研究发现,Zni-AgZn和Oi-AgZn的形成能较小,...
关键词：Ag掺杂ZnO 本征缺陷 第一性原理 电子结构 
ZnO本征缺陷的第一性原理计算被引量：2
《南昌大学学报（理科版）》2008年第6期557-559,共3页万齐欣 熊志华 刘国栋 李冬梅 江风益 
863纳米专项基金资助项目(2003AA302160);863光电子主课题资助项目(2005AA311010);江西科技师院校级课题资助项目(KY20072Y011)
采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法对ZnO本征缺陷的几何结构、杂质形成能和电子结构进行了比较系统的研究。研究表明,OZn、Oi和VZn以受主的形式存在;ZnO和Zni以施主的形式存在。其中,Zni的形成能最小,因此Zni的存在正是未掺杂ZnO...
关键词：ZNO 第一性原理 电子结构 
锂离子电池的关键材料及其发展被引量：2
《江西科学》2008年第4期584-587,600,共5页李冬梅 孙振辉 万齐欣 刘国栋 熊志华 
国家自然科学基金资助项目(60767001);江西省教育厅教改课题资助项目(赣教高字[2005]95号);江西省教育厅科技项目资助(赣教技字[2007]281);江西科技师范学院校级课题资助项目(KY2007ZY011)
锂离子电池的发展与其负极材料、正极材料和电解质材料的发展相关。本文对锂离子电池的关键材料及其发展进行阐述,以便能够更好的研究和改善电池的性能。
关键词：锂离子电池 负极材料 正极材料 电解液 
缓冲层厚度对Ti/Si模板上生长ZnO薄膜的影响被引量：1
《南昌大学学报（理科版）》2007年第2期181-185,共5页李璠 李冬梅 戴江南 王立 蒲勇 方文卿 江风益 
863纳米专项课题资助项目(2003AA302160);电子信息产业发展基金资助项目(2004125)
采用常压MOCVD法,以二乙基锌和去离子水为源,在不同厚度的ZnO缓冲层上生长了一组ZnO薄膜。分别采用X射线衍射(XRD)、干涉显微镜和光致发光谱(PL)对样品的结晶性能、表面形貌和发光性能进行分析,结果表明,随着缓冲层的引入,ZnO外延膜的...
关键词：ZNO 缓冲层 Ti/Si模板 MOCVD 
MOCVD方法在Ti/Si(111)模板上生长ZnO薄膜的研究被引量：3
《人工晶体学报》2006年第1期63-65,70,共4页李冬梅 李璠 苏宏波 王立 戴江南 蒲勇 方文卿 江风益 
国家863课题(No.2003AA302160);电子信息产业发展基金项目
本文采用常压MOCVD方法在Ti/S i(111)模板上生长了氧化锌(ZnO)薄膜,使用二乙基锌为Zn源,去离子水为O源。S i衬底上的Ti薄层采用电子束蒸发台蒸发,然后低温生长缓冲层并在高温下进行重结晶,接着在680℃进行ZnO薄膜的生长。采用粉末衍射...
关键词：氧化锌 金属Ti SI衬底 金属有机化学气相沉积 
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