MOCVD反应器中流场和热场的数值研究  

作　　者：钟树泉[1] 任晓敏[1] 黄永清[1] 王琦[1] 黄辉[1] 

机构地区：[1]北京邮电大学光通信与光波导教育部重点实验室,北京100876

出　　处：《科学通报》2009年第21期3270-3277,共8页Chinese Science Bulletin

基　　金：国家重点基础研究发展计划(编号:2003CB314901);教育部长江学者和创新团队发展计划(编号:IRT0609);国家高技术研究发展计划(编号:2006AA03Z416;2007AA03Z418);国家自然科学基金(批准号:10875018;10773002;60576018);国家自然科学基金重点项目(批准号:90601002);高等学校学科创新引智计划(编号:B07005)资助

摘　　要：利用二维动力学模型,通过变化MOCVD(metal organic chemical vapor deposition)反应器的进气流量、操作压力、衬底温度、基座旋转等几个重要工艺控制参数,计算了反应器内部均匀的流场和热场分布的形态变化,描述了输运过程中产生的多种流动现象,并给出了相应的分析与说明.在此基础上,通过微扰反应器的进气量,计算并图形化了质量输运过程的瞬态行为,分析了延迟时间、驰豫振荡、自脉动振荡等瞬态现象产生的原因,为高品质外延生长工艺的设计与实施,提供了有益的解决途径.

关 键 词：晶体外延生长 MOCVD反应器 输运过程 热流场 

分 类 号：O471[理学—半导体物理]