MOCVD反应器

作品数：23被引量：57H指数：5
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行星式MOCVD反应器进口结构对AlN生长的气相反应和生长速率的影响被引量：2
《人工晶体学报》2020年第7期1168-1175,共8页茅艳琳 左然 
国家自然科学基金(61474058)。
针对行星式MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)反应器进口结构对AlN生长的化学反应路径和生长速率的影响进行数值模拟研究,通过改变反应器进口形式、数量以及隔板位置发现,二重进口反应器倒置进口(即Ⅲ族在下,Ⅴ族在上)时...
关键词：MOCVD ALN 行星式反应器 气相反应 数值模拟 
垂直转盘式MOCVD反应器进口温度对GaN生长的影响
《人工晶体学报》2015年第10期2778-2785,共8页左然 王宗琪 陈鹏 
国家自然科学基金(61176009;61474058)
针对垂直转盘式MOCVD反应器进口温度对GaN生长的影响进行数值模拟研究,分别考虑预混合进口和分隔进口两种情况。通过对包含主要化学反应路径的气体输运过程的模拟,对比不同进口温度下衬底前沿的反应前体浓度及其对应的生长速率的变化,...
关键词：MOCVD 进口温度 GAN 数值模拟 
水平式MOCVD反应器分隔进口对化学反应路径和生长均匀性的影响研究被引量：1
《材料导报（纳米与新材料专辑）》2015年第1期102-105,共4页师珺草 徐楠 左然 赖晓慧 
对水平式MOCVD反应器混合进口、分隔进口以及分隔板离衬底不同距离的情况下,反应物浓度分布和生长速率进行数值模拟。在模拟中首先对比混合进口和分隔进口反应器中反应物的浓度分布和生长速率,发现混合进口反应器中,化学反应倾向于加合...
关键词：金属有机化学气相沉积 数值模拟 生长速率 均匀性 
垂直喷淋式MOCVD反应器中射流影响的研究
《中国科学：技术科学》2014年第8期861-869,共9页陈传牧 左然 刘鹏 童玉珍 张国义 
国家自然科学基金(批准号:61176009);国家重点基础研究发展计划(编号:2011CB013101)资助
针对垂直喷淋式MOCVD反应器的射流现象进行数值模拟研究.通过改变反应腔高度、喷口间距、喷口速度、托盘转速等,对反应器内的流场、温度场、浓度场随上述参数的变化进行详细探讨,进一步探索MOCVD反应器中射流影响的规律.通过模拟发现:(1...
关键词：射流 MOCVD反应器 数值模拟 
垂直式MOCVD反应器中热泳力对浓度分布的影响分析被引量：2
《人工晶体学报》2012年第4期1059-1065,共7页于海群 左然 徐楠 何晓崐 
国家自然科学基金(61176009);江苏省研究生创新计划项目(CX10B_260Z)
从分子动力学理论出发,推导出垂直式MOCVD反应器中热泳力和热泳速度与温度、温度梯度、压强、粒子直径的关系式,以及热泳速度与扩散速度、动量速度平衡时的关系式。在典型的生长条件下,计算得到在温度T=605K时,热泳速度与扩散速度、动...
关键词：MOCVD GAN 热泳力 数值模拟 
垂直转盘式MOCVD反应器中GaN化学反应路径的影响研究被引量：3
《人工晶体学报》2012年第4期1107-1112,共6页徐楠 左然 何晓焜 于海群 
国家自然科学基金(61176009);江苏省研究生创新计划项目(CX10B_260Z)
对垂直转盘式MOCVD反应器生长GaN的气相化学反应路径进行研究。结合反应动力学模型,分别采用预混合进口但改变反应腔高度,以及采用环形分隔进口,对反应器的温场、流场和浓度场进行CFD数值模拟,由此确定反应器结构参数对化学反应路径的...
关键词：生长速率 MOCVD GAN 反应路径 
用于制备YBCO薄膜的光辅助MOCVD反应器内流动现象的数值研究
《工程力学》2011年第6期206-211,共6页李晖 左然 方秀军 李国兴 周本初 
对一种制备YBCO薄膜的光辅助MOCVD反应器内的流动现象进行了三维数值模拟研究。在模拟计算中,分别改变基座与进口的相对角度(Φ)、反应器顶壁倾斜角度(Ψ),得出反应器中流场的相应变化。根据对模拟结果的分析,发现当基座平面与进气口轴...
关键词：MOCVD YBCO 反应器 流场 数值模拟 
切向喷射式MOCVD反应器的设计与数值模拟被引量：5
《人工晶体学报》2010年第1期267-271,共5页王国斌 左然 徐谦 李晖 于海群 陈景升 
国家自然科学基金(No.60376006)
本文提出一种新的切向喷射式MOCVD反应器,反应气体从均匀分布于内壁的切向进口喷管喷入反应器,尾气从位于反应器中心的上方或下方出口排出。通过切向喷射,使气体发生人工可控的螺旋流,在水平方向逐渐旋转与加速,从而补偿反应物浓度从边...
关键词：MOCVD反应器 切向喷射 中心出口 螺旋流动 数值模拟 
MOCVD反应器中流场和热场的数值研究被引量：1
《科学通报》2009年第21期3270-3277,共8页钟树泉 任晓敏 黄永清 王琦 黄辉 
国家重点基础研究发展计划(编号:2003CB314901);教育部长江学者和创新团队发展计划(编号:IRT0609);国家高技术研究发展计划(编号:2006AA03Z416;2007AA03Z418);国家自然科学基金(批准号:10875018;10773002;60576018);国家自然科学基金重点项目(批准号:90601002);高等学校学科创新引智计划(编号:B07005)资助
利用二维动力学模型,通过变化MOCVD(metal organic chemical vapor deposition)反应器的进气流量、操作压力、衬底温度、基座旋转等几个重要工艺控制参数,计算了反应器内部均匀的流场和热场分布的形态变化,描述了输运过程中产生的多种...
关键词：晶体外延生长 MOCVD反应器 输运过程 热流场 
径向三重流MOCVD反应器生长GaN的数值模拟被引量：1
《人工晶体学报》2009年第4期938-942,共5页张红 左然 
国家自然科学基金资助项目(No.60376006)
采用计算流体力学方法对生长半导体材料GaN的重要设备三重进口行星式MOCVD(金属有机物化学气相沉积)反应室中的输运过程进行了二维数值模拟。从浓度场的角度分析反应器内衬底上方NH3和TMGa的浓度影响因素。根据对模拟结果的分析,发现较...
关键词：MOCVD GAN 数值模拟 
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