消除PECVD膜的第一晶片效应  

出　　处：《表面技术》2009年第6期50-50,共1页Surface Technology

摘　　要：本发明大体上提供了用于消除等离子体增强化学气相沉积（PECVD）中“第一晶片效应”的装置和方法。本发明的一种实施例提供了用于在室空闲了一段时间之后使室做好准备的方法。该方法包括在清洁步骤之后，根据空闲时间长度调整进行干燥步骤和加热步骤。

关 键 词：PECVD 等离子体增强化学气相沉积 晶片 时间长度 膜 发明 

分 类 号：TN304.055[电子电信—物理电子学] O484.1[理学—固体物理]