磁控溅射制备TiAlN薄膜组织结构及性能的研究  被引量:7

Investigation of Phase Structure and Performance of TiAlN Films Deposited by RF Magnetron Sputtering

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作  者:刘宇[1] 刘波 刘胜利 

机构地区:[1]北京科技大学冶金与生态工程学院,北京100083 [2]山东公信安全科技有限公司,山东枣庄277101

出  处:《硬质合金》2009年第4期218-222,共5页Cemented Carbides

摘  要:本文采用射频磁控溅射法在硬质合金钻头表面制备了TiAlN薄膜。XPS测试表明,膜层的主要成分为金属氮化物,Ti/Al原子个数比约为1∶1;XRD分析表明膜层中只出现Ti3AlN的衍射峰,并且在(220)上有明显的择优取向;SEM测试表明所制备的薄膜连续、光滑、组织致密;硬度测试显示薄膜硬度HV最高达到2465;膜/基界面的结合力经测定为42.12N。In this study, TiAlN thin fdms were deposited on cemented carbide substrates by reactive RF magnetron sputtering. XPS observations revealed that films were mainly composed of metal nitrides and an atomic Ti/Al ratio in the films of approximately 1: 1; XRD results show the deposited films demonstrate a c-axis preferred orientation of (220) with Ti3AlN peak; SEM investigations revealed that the films have low droplet density and very smooth surface;The hardness could reach 2465 (HV), and the adhesion between the films and the base is 42.12N.

关 键 词:TIALN薄膜 磁控溅射 组织结构 性能 

分 类 号:TB383.2[一般工业技术—材料科学与工程]

 

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