新型磁控溅射法合成C_3N_4/TiN复合膜  

Synthesis of C 3N 4/TiN Composite Thin Films By New Magnetron Sputtering System

作　　者：何孟兵[1] 叶明生[1] 范炜 彭友贵[1] 范湘军[1] 吴大维[1] 

机构地区：[1]武汉大学

出　　处：《材料科学与工程》1998年第4期26-28,共3页Materials Science and Engineering

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：本工作采用在封闭型非平衡磁场ｄｃ磁控溅射系统中增加对阴极的方法制备Ｃ３Ｎ４／ＴｉＮ复合交替膜，用获得的ＴｉＮ对进行Ｃ３Ｎ４强迫晶化，Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和电子衍射（ＴＥＤ）分析表明生成了立方氮化碳（ｃ－Ｃ３Ｎ４）。交替膜的界面处有ＴｉＣ的生成。Cubic Carbon nitride has been deposited by using new magnetron sputtering system.We use TiN to provide a lattice Structural template to seed the growth of carbon nitride crystallites. Opposite cathode are used to enhance the ionization. X-ray diffraction(XRD)and transmission electron diffraction(TED)show that cubic carbon nitride has been obtained.

关 键 词：氮化碳 磁控溅射 非平衡磁场 复合膜 氮化钛 

分 类 号：O484.1[理学—固体物理] O484.8[理学—物理]