SiC“基础”有助于A1N生长  

作　　者：邓志杰（摘译） 

出　　处：《现代材料动态》2010年第1期10-11,共2页Information of Advanced Materials

摘　　要：A1N是生长紫外（UV）LED的良好衬底，但它很难生长。用快速升华法可以在SiC衬底上沉积A1N，已获得了一些有希望的结果，包括其缺陷密度出人意料的低。

关 键 词：SIC 生长 基础 缺陷密度 升华法 衬底 

分 类 号：TN304.24[电子电信—物理电子学] TU753[建筑科学—建筑技术科学]