太阳能电池用低掺杂率多晶硅薄膜的制备  

作　　者：王成龙[1,2] 范多旺[1,2] 王成兵[1,2] 耿中荣[1,2] 马海林[1,2] 苗树翻[1,2] 

机构地区：[1]兰州交通大学光电技术与智能控制教育部重点实验室,兰州730070 [2]兰州交通大学国家绿色镀膜技术与装备工程技术研究中心,兰州730070

出　　处：《中国科学：物理学、力学、天文学》2010年第2期219-223,共5页Scientia Sinica Physica,Mechanica & Astronomica

摘　　要：通过铝诱导晶化非晶硅(Aluminum-Induced Crystallization,AIC)制备的多晶硅薄膜具有较高的铝掺杂浓度(2×1018cm-3),不适宜作为薄膜太阳能电池的吸收层.我们提出了QCGE AIC法,即:硅原子的快速扩散;冷却成核;晶粒的慢速生长;铝原子的向外扩散.通过精确控制AIC过程中退火温度及模式制备了掺杂率为2×1016cm-3的高品质多晶硅薄膜.二次离子质谱(Secondary-Ion-mass Spectroscopy,SIMS)结果表明:制备多晶硅薄膜中铝残留浓度依赖于退火的温度模式;霍尔效应测试结果表明:制备多晶硅薄膜的掺杂率依赖于退火的温度和退火模式;拉曼光谱表明:通过QCGE AIC制备的多晶硅薄膜中包含有少量由小颗粒硅组成的区域.

关 键 词：太阳能电池 多晶硅薄膜 低掺杂浓度 铝诱导晶化 

分 类 号：TN304.05[电子电信—物理电子学]