ICP硅深槽刻蚀技术研究  

作　　者：黄斌 郭群英 

机构地区：[1]中国兵器工业第214研究所,蚌埠233042

出　　处：《集成电路通讯》2009年第4期23-27,共5页

摘　　要：介绍电感耦合等离子刻蚀（ICP）技术的基本概念，并结合英国STS公司高密度反应离子刻蚀机的刻蚀机理及刻蚀过程，对硅深槽刻蚀技术进行分析和研究，总结出满足不同工艺要求的硅深槽刻蚀方案。

关 键 词：ICP Boseh技术 速率 均匀性 SOI Footing效应 

分 类 号：TN405.98[电子电信—微电子学与固体电子学] TH136[机械工程—机械制造及自动化]