PMOS FET栅氧化五步新模式——抑制PMOS栅氧化杂质分凝的计算机模拟  

New Pattern of PMOS FET Five Step Grid Oxidization: The Computer Simulation for Restraining Impurity Segregation Effect of PMOS Grid Oxidization

作　　者：李惠军[1] 陈惠凯[1] 

机构地区：[1]山东工业大学

出　　处：《半导体技术》1998年第6期35-40,共6页Semiconductor Technology

摘　　要：采用一维工艺及器件ＣＡＤ系统对ＰＭＯＳ结构栅氧化工艺实施联机模拟，并推出新型的三步转五步栅氧化模式。模拟及实验证实，该模式可显著抑制ＰＭＯＳ结构栅氧化过程中的杂质分凝。One dimension CAD system of process and device is adopted to implement union simulation for the PMOS sturcture grid oxidization process.A new type three step transforms five step grid oxide pattern is given.The simulation and experiment have shown that the pattern may restrain remarkably impurity segregation effect in the process of PMOS structure grid oxidization.

关 键 词：PMOS 分凝效应 计算机模拟 FET 栅氧化 

分 类 号：TN386.05[电子电信—物理电子学]