一种用于TDD通信模式的大功率射频开关  

A High Power RF Switch for TDD Communication Mode

作　　者：黄贞松[1] 杨磊[1] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所,南京210016

出　　处：《电信科学》2010年第4期81-84,共4页Telecommunications Science

基　　金：国家发改委"新一代宽带无线通信射频器件及模块研发和产业化"资助项目

摘　　要：采用氧化铝陶瓷基板、硅外延法制作的PIN二极管芯片,MCM(多芯片组装工艺)技术设计的功率开关,在1～3GHz频带内插入损耗小于0.5dB,可通过CW功率60W,隔离度大于45dB,尺寸为8mm×8mm,解决了射频大功率开关量产困难的问题,在我国的TD-SCDMA移动通信网中得到了广泛应用。Using Al2O3 ceramic substrate and silicon PIN diode, the switch is fabricated in MCM technology. The device can control signals from 1.0 to 3.0 GHz with only 0.5 dB insertion loss. The design provides exceptional power handling performance： maximal input CW power=60 W and isolation ≥45 dB. The size of the whole module is 8 mm×8 mm. Being volume-produced, this switch has been used widely in TD-SCDMA and WiMAX.

关 键 词：氧化铝陶瓷基板 MCM 大功率 开关 

分 类 号：TN929.533[电子电信—通信与信息系统]