黄贞松

作品数：6被引量：15H指数：3
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供职机构：南京电子器件研究所更多>>
发文主题：接收前端射频接收前端氮化铝陶瓷高集成MCM更多>>
发文领域：电子电信更多>>
发文期刊：《电信科学》《固体电子学研究与进展》《电子与封装》《现代信息科技》更多>>
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一种双通道射频接收前端被引量：2
《现代信息科技》2017年第4期58-61,共4页黄贞松 蒋东铭 匡珩 
"超宽带4G移动通信用关键射频集成电路与模块"项目;电科民【2013】537号
本文研究采用SOI(绝缘体上硅)工艺设计开关芯片,砷化镓(Ga As)工艺单片LNA,MCM(多芯片组装工艺)技术设计的双通道接收前端,在1~4GHz频带内插入损耗小于0.4d B,可通过CW功率5W,NF小于1.2d B,增益大于30d B,P-1d B大于10d Bm,尺寸为5mm×...
关键词：砷化镓 双通道接收前端 
一种高集成射频接收前端模块被引量：1
《现代信息科技》2017年第1期60-61,64,共3页匡珩 梁庆山 何旭 黄贞松 
一种采用氮化铝陶瓷基板、PIN二极管芯片,砷化镓(Ga As)单片LNA,应用MCM(多芯片模块)微组装技术设计的高集成射频接收前端模块,在1~3.5GHz频带内发射通路插入损耗小于0.4d B,可通过CW功率100W,接收通路(带开关)NF小于2.0d B,增益大于28d...
关键词：氮化铝陶瓷 砷化镓LNA MCM 接收前端 
L波段大功率开关的研制被引量：1
《电子与封装》2016年第7期34-38,共5页孟向俊 杨磊 黄贞松 宋艳 许庆 
根据高功率、低插损、高隔离的要求,选择串并联电路形式对这些指标做折衷处理。采用多芯片模块组装工艺,把PIN管芯片通过焊料烧结在氮化铝基板上。相比于传统基板材料,氮化铝陶瓷基板导热性能优良,无需加装散热器,使电路尺寸减小,制作...
关键词：多芯片模块 氮化铝陶瓷基板 大功率开关 
一种高集成射频接收前端被引量：4
《固体电子学研究与进展》2015年第4期352-356,共5页黄贞松 宋艳 许庆 杨磊 
国家发改委资助项目(电科产[2008]155号)
采用氮化铝陶瓷基板、硅外延法制作的PIN二极管芯片、砷化镓工艺单片低噪声放大器、硅集成驱动芯片、多芯片组件工艺技术设计的接收前端,在1-4GHz频带内插入损耗小于0.4dB,可通过连续波功率80 W,噪声系数小于1.0dB,增益大于30dB,1dB压...
关键词：氮化铝陶瓷 砷化镓 多芯片组件工艺 硅集成驱动芯 接收前端 
ETC.RSU收发前端模块设计被引量：5
《固体电子学研究与进展》2013年第1期63-67,共5页许庆 曾瑞锋 苗一新 黄贞松 
设计并实现了一种用于ETC系统的收发前端模块,提出了一种新型ASK调制电路,较之传统收发模块性能有较大提高。该模块发射路采用数字模拟双重衰减器设计,接收路采用双AGC电路设计,可实现发射的ASK信号调制度30%～100%连续可调,接收动态范...
关键词：电子收费 振幅键控 调制度 射频识别 专用短程通信 路侧单元 
一种用于TDD通信模式的大功率射频开关被引量：3
《电信科学》2010年第4期81-84,共4页黄贞松 杨磊 
国家发改委"新一代宽带无线通信射频器件及模块研发和产业化"资助项目
采用氧化铝陶瓷基板、硅外延法制作的PIN二极管芯片,MCM(多芯片组装工艺)技术设计的功率开关,在1～3GHz频带内插入损耗小于0.5dB,可通过CW功率60W,隔离度大于45dB,尺寸为8mm×8mm,解决了射频大功率开关量产困难的问题,在我国的TD-SCDMA...
关键词：氧化铝陶瓷基板 MCM 大功率 开关 
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