一种高集成射频接收前端  

A Highly Integrated RF Receiver Front End

作　　者：黄贞松[1] 宋艳[1] 许庆[1] 杨磊[1] 

机构地区：[1]南京电子器件研究所,南京210016

出　　处：《固体电子学研究与进展》2015年第4期352-356,共5页Research & Progress of SSE

基　　金：国家发改委资助项目(电科产[2008]155号)

摘　　要：采用氮化铝陶瓷基板、硅外延法制作的PIN二极管芯片、砷化镓工艺单片低噪声放大器、硅集成驱动芯片、多芯片组件工艺技术设计的接收前端,在1-4GHz频带内插入损耗小于0.4dB,可通过连续波功率80 W,噪声系数小于1.0dB,增益大于30dB,1dB压缩点输出功率大于10dBm,尺寸为6.0mm×6.0mm×1.2mm的塑料封装。高集成的射频接收前端可广泛应用于TD-SCDMA和TD-LTE系统。With AlN ceramic substrate and silicon PIN diode incorporated,the module was fabricated using MCM technology.The module can control signals from 1.0GHz to 4.0GHz with only 0.4dB insertion loss.The module provides exceptional power handling performance：up to 80 Wof maximal input CW power.The module was housed in a leadless 6.0mm×6.0mm×1.2mm plastic surface mount package.30 dB of small signal gain,1.0dB of noise figure and＋10dBm of output P-1dB were achieved.The switch is now in massive production and widely used in TD-SCDMA and TD-LTE mobile systems.

关 键 词：氮化铝陶瓷 砷化镓 多芯片组件工艺 硅集成驱动芯 接收前端 

分 类 号：TN454[电子电信—微电子学与固体电子学] TN722.3