基于器件仿真的参数提取方法研究  

Parameter Extraction Method Based on Device Simulation

作　　者：方勇[1] 吴龙胜[1] 韩本光[1] 陈超[1] 唐威[1] 

机构地区：[1]西安微电子技术研究所,陕西西安710054

出　　处：《现代电子技术》2010年第8期6-8,共3页Modern Electronics Technique

摘　　要：介绍器件参数提取的意义,并对基于工艺的参数提取和基于器件仿真的参数提取两种方法进行了比较。根据0.35μmSOI CMOS工艺参数,构造出部分耗尽SOI NMOS结构。基于BSI MSOI模型采用局部优化,单器件提取的策略进行参数提取。最后通过将仿真与实际测试得到的参数比较,验证了该方法的准确性。The significance of device parameter extraction is introduced. The two methods of parameter extraction based on process and device simulation are compared. According to 0.35 μm SOI CMOS process parameter, the structure of PDSOI NMOS wasbuilt. Theparameter extraction is performed with the local optimization and single device extraction strategies based on BSIM SOI model.The accuracy of this method is verified through comparing the simulated parameters with the tested parameters.

关 键 词：SOI 参数提取 器件仿真 工艺参数 

分 类 号：TP274[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置] TN710[自动化与计算机技术—控制科学与工程]