方勇

作品数：3被引量：2H指数：1
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供职机构：西安微电子技术研究所更多>>
发文主题：SOI超深亚微米NMOS器件电荷共享PD_SOI更多>>
发文领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
发文期刊：《半导体技术》《科学技术与工程》《现代电子技术》更多>>
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基于器件仿真的参数提取方法研究
《现代电子技术》2010年第8期6-8,共3页方勇 吴龙胜 韩本光 陈超 唐威 
介绍器件参数提取的意义,并对基于工艺的参数提取和基于器件仿真的参数提取两种方法进行了比较。根据0.35μmSOI CMOS工艺参数,构造出部分耗尽SOI NMOS结构。基于BSI MSOI模型采用局部优化,单器件提取的策略进行参数提取。最后通过将仿...
关键词：SOI 参数提取 器件仿真 工艺参数 
130nm NMOS器件的单粒子辐射电荷共享效应被引量：2
《半导体技术》2010年第1期46-49,93,共5页陈超 吴龙胜 韩本光 方勇 刘佑宝 
国家部委基金项目(51308010608)
研究了同一p阱内两个130nm NMOS器件在受到重离子辐射后产生的电荷共享效应。使用TCAD仿真构造并校准了130nm NMOS管。研究了在有无p+保护环结构及不同器件间距下,处于截止态的NMOS晶体管之间的电荷共享,给出了电荷共享效应与SET脉冲电...
关键词：电荷共享 超深亚微米 器件模拟 单粒子辐射 寄生双极管效应 
倒掺杂结构PD SOI器件的抗辐射研究
《科学技术与工程》2009年第20期6013-6016,共4页韩本光 吴龙胜 陈超 方勇 刘佑宝 
为了提高SOI器件抗总剂量能力,采用了倒掺杂结构。研究了倒掺杂结构PD SOI器件抗总剂量能力的增强,介绍了该结构对寄生NPN晶体管的抑制作用。发现倒掺杂结构不仅提高了器件的抗总剂量能力,对器件的抗单粒子能力也有所提高。基于0.35μm ...
关键词：倒掺杂 PD SOI 单粒子翻转 电荷收集 线性能量转移值 
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