光学邻近效应与掩模特征尺寸的关系  

Relationship of Mask Feature Size with OPE in Photolithography

作　　者：石瑞英[1] 杜开瑛[1] 郭永康[1] 姚军[1] 张怡霄[1] 崔铮 

机构地区：[1]四川大学物理系 [2]英国卢瑟福国家实验室

出　　处：《光电工程》1998年第6期55-59,共5页Opto-Electronic Engineering

基　　金：国家自然科学基金;中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室资助

摘　　要：依据物的空间频谱分布、部分相干成象理论及空间滤波概念，分析了投影光刻中的掩模特征尺寸与光学邻近效应（ＯＰＥ）的关系。The relationship of mask feature size with optical proximity effect(OPE) in projection photolithography is analyzed basing on the spatial spectral distribution of the object,partial coherence imaging and spatial filtering concept.The analyzing results have been demonstrated through the simulation of the effect of NA in the imaging system on OPE.

关 键 词：投影光刻 掩模 光学效应 

分 类 号：TN305.7[电子电信—物理电子学]