Tl在Si(111)面吸附特性理论研究  

作　　者：戴宪起[1] 赵建华[1] 孙永灿[1] 危书义[1] 卫国红[1] 

机构地区：[1]河南师范大学物理与信息工程学院,河南新乡453007

出　　处：《河南师范大学学报（自然科学版）》2010年第2期186-186,共1页Journal of Henan Normal University(Natural Science Edition)

基　　金：国家自然科学基金项目(60476047);河南省高校科技创新人才支持计划(2008HALTST030)

关 键 词：第一性原理 铊 硅(111) 吸附 电荷密度 

分 类 号：O472.1[理学—半导体物理]