卫国红

作品数：2被引量：1H指数：1
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供职机构：河南师范大学物理与信息工程学院更多>>
发文主题：铊硅TLSI电荷密度更多>>
发文领域：理学更多>>
发文期刊：《河南师范大学学报（自然科学版）》《液晶与显示》更多>>
所获基金：国家自然科学基金河南省高校科技创新团队支持计划河南省自然科学基金更多>>
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Tl在Si(111)面吸附特性理论研究被引量：1
《河南师范大学学报（自然科学版）》2010年第2期186-186,共1页戴宪起 赵建华 孙永灿 危书义 卫国红 
国家自然科学基金项目(60476047);河南省高校科技创新人才支持计划(2008HALTST030)
关键词：第一性原理 铊 硅(111) 吸附 电荷密度 
耦合ZnO/Mg_xZn_(1-x)O量子点中的激子态和带间光跃迁
《液晶与显示》2009年第3期340-344,共5页危书义 卫国红 孙永灿 赵建华 
国家自然科学基金资助项目(No.60476047);河南省自然科学基金资助项目(No.0611053800)
在有效质量近似和变分原理的基础上,考虑量子点的三维约束效应和内建电场,研究了ZnO/MgxZn1-xO耦合量子点中激子结合能、带间光跃迁能以及电子-空穴复合率随量子点结构参数(量子点高度和势垒层厚度)的变化。结果表明:激子结合能、带间...
关键词：量子点 激子结合能 带间光跃迁能 电子-空穴复合率 
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