GaAs量子环中类氢施主杂质结合能  

作　　者：王广新[1] 段秀芝[2] 郑继雨[3] 

机构地区：[1]华北煤炭医学院基础医学部,河北唐山063000 [2]河北理工大学轻工学院,河北唐山063000 [3]河北理工大学信息学院,河北唐山063000

出　　处：《中国科技纵横》2009年第12期42-42,44,共2页China Science & Technology Overview

摘　　要：选用含有两个变分参数的尝试波函数，利用有效质量方法和变分原理，研究了无限深圆柱形GaAs量子环中类氢施主杂质结合能随量子环的外径、内径以及径向约束势变化规律。结果表明：随着量子环外径逐渐增大，施主杂质结合能随着外径的逐渐增大而不断减小，并趋于体材料能量1Ry；随着量子环的内径逐渐增大，施主杂质结合能先迅速增大，然后几乎保持不变；随着量子环径向约束势（R）减小，施主杂质结合能逐渐增大。

关 键 词：量子环 变分法 类氲杂质 结合能 

分 类 号：O471.3[理学—半导体物理]