p-n结的隧道击穿模型研究  

Model Research on p-n Junction Tunnel Breakdown

作　　者：尚春宇[1,2] 杜艳秋[1] 吴研[1] 

机构地区：[1]黑龙江科技学院电信学院,哈尔滨150027 [2]哈尔滨工业大学材料物理与化学系,哈尔滨150001

出　　处：《半导体光电》2010年第2期263-265,共3页Semiconductor Optoelectronics

基　　金：黑龙江科技学院引进人才基金项目(07-19)

摘　　要：建立了抽象化的理论模型对p-n结隧道击穿机理进行定量研究,在理论模型的基础上探讨了电子势垒的形状以及势垒形状随外加电压的变化,并进行定量计算,得出隧穿电压随杂质掺杂浓度的变化规律。所得结论与硅、锗p-n结实验数据相吻合,证明了所建立的理论模型在定量研究p-n结的隧道击穿中的合理性与实用性。该理论模型对研究一般材料或器件的隧道击穿具有重要的借鉴意义。An abstract theoretical model is set up to make quantitative study of the tunnel breakdown mechanism of p-n junction. Based on the model, the shape changes of the electronic potential barrier with the applied voltage are studied. Quantitative investigations indicate the relations between the doping density of p-n junction and the breakdown voltage. The theoretical model has been proved to be useful for the study of the tunnel breakdown of ordinary materials.

关 键 词：隧道击穿 势垒 P-N结 

分 类 号：O471.5[理学—半导体物理]