二氧化硅覆盖退火增强磷化铟基体激光器材料的量子阱混合  

Silicon Dioxide Encapsulated Anneal Enhanced Quantum Well Intermixing for InP Based Laser Material

作　　者：韩德俊[1] 朱洪亮[2] J.G.Simmons Q.C.Zhao 

机构地区：[1]北京师范大学低能核物理所北京100875 [2]国家光电子工艺中心中国科学院半导体研究所 [3]CenterforElectrophotonicMaterialsandDevices

出　　处：《Journal of Semiconductors》1999年第3期231-236,共6页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金!(批准号 :697860 0 1 );北京科技新星计划基金资助

摘　　要：我们对 Si O2 覆盖退火增强 In Ga As/In Ga As P/In P激光器材料量子阱混合技术进行了实验研究 .相对于原始样品 ,退火时无 Si O2 覆盖的样品经 80 0℃ ,30 s快速退火后 ,其光致发光谱的峰值波长“蓝移”了 7nm,退火时有 Si O2 覆盖的样品经过同样的快速退火后 ,其光致发光谱的峰值波长“蓝移”了 56nm.即在同一片子上实现了在需要量子阱混合的区域带隙的“蓝移”足够大的同时 ,不希望量子阱混合的区域能带结构的变化创记录的小 .本文认为增大量子阱的宽度、采用无应力的量子阱结构以及引入足够厚的缓冲层可以改善量子阱材料的晶格质量 ,有利于提高量子阱混合技术的可靠性与重复性 ,改善量子阱材料的热稳定性 .SiO 2 encapsulated anneal enhanced QW intermixing has been investigated experimentally. Blue shift in PL peak of 56nm has been demonstrated in SiO 2 encapsulating regions of the InGaAs/InGaAsP/InP wafer, on its non\|encapsulated region, a record small blue shift in PL peaks of 7nm is achieved. We believe that a lattice\|matched QW structure with wider well and thicker buffer layer is benefit to improve the reliability of the quantum well intermixing technology and the thermal stability of the material.

关 键 词：激光器材料 二氧化硅 磷化铟 量子阱 

分 类 号：TN248.04[电子电信—物理电子学] TN304.23