硫化时间对于固态硫化CuInS_2薄膜性能影响  

Impact of Sulfuration Time on Properties of CuInS_2 Films

作　　者：杨宇[1] 张弓[1] 庄大明[1] 

机构地区：[1]清华大学机械工程系,北京100084

出　　处：《真空科学与技术学报》2010年第3期236-239,共4页Chinese Journal of Vacuum Science and Technology

基　　金：国家863基础研究基金项目(No.2004AA513023)

摘　　要：采用中频交流磁控溅射方法，在玻璃基底上沉积Cu-In预制膜，采用固态硫化法制备获得了CuInS2（OS）吸收层薄膜。考察了硫化时间对于CIS薄膜结构、形貌以及禁带宽度影响。通过XRD分析了薄膜结构，通过SEM以及XRF分析薄膜表面形貌以及薄膜成分，通过近红外透过曲线得出薄膜禁带宽度。结果表明，在400℃硫化10，15，20，25，30min下均能制得单一黄铜矿相CIS薄膜，并且具有（112）面择优取向。以上各硫化时间下，均能形成均匀且晶粒大小为1μm的CIS薄膜，薄膜禁带宽度约为1．10～1．22eV之间。The Cu-In precursor, grown by mid frequency AC magnetron sputtering on glass substrates, was sulfumted with sulfur vapor to grow the CuInS2（CIS） absorption layer for solar cells. The influence of the sulfuration conditions on its properties was studied. The microstructures and electronic properties of the CIS films were characterized with X-ray diffraction （XRD）, X-ray fluorescence, scanning electron microscopy （SEM） and Fourier transform infrared spectroscopy （FHR）. The results show that the single chalcopyrite phased CIS films can be grown by sulfumtion at 400 ℃ for at least 10rain. The （112） preferentially grown films was found to be fairly uniform, compact with an averaged grain size of 1 tan, and a band gap is 1.10 eV to 1.22 eV.The CIS absorber with the widest band gap, 1.22 eV,was sulfurated for 30 min.

关 键 词：太阳能电池 CIS 磁控溅射 硫化时间 

分 类 号：TK513.5[动力工程及工程热物理—热能工程]