一种高电源抑制比CMOS能隙基准电压源  

A Simple CMOS Bandgap Voltage Reference with High PSRR

作　　者：刘韬[1] 徐志伟[1] 程君侠[1] 

机构地区：[1]复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室

出　　处：《微电子学》1999年第2期128-131,140,共5页Microelectronics

摘　　要：介绍了一个采用０．６μｍ数字ＣＭＯＳ工艺制作的能隙基准电压源电路，该电路具有小的硅片面积（０．０６ｍｍ２）、高电源抑制比和较低温度系数。在该电路应用于高精度电路的偏置系统时，还可增加改善输出偏置电流温度系数的电路。A bandgap voltage reference circuit is described,which is compatible with digital CMOS process.With a small chip area of 0.06 mm 2 ,the device has a high power supply rejection ratio(PSRR)and a low temperature coefficient.When it is used for bias circuits in high resolution systems,a circuit to improve temperature coefficient of the output bias current can be introduced.

关 键 词：能隙基准电压源 电源抑制比 温度系数 IC 

分 类 号：TN432.05[电子电信—微电子学与固体电子学]