徐志伟

作品数：9被引量：35H指数：4
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供职机构：复旦大学数学科学学院更多>>
发文主题：VLSI集成电路低功耗拟插值抑制比更多>>
发文领域：电子电信理学更多>>
发文期刊：《微电子学》《半导体技术》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
所获基金：上海市科学技术委员会资助项目国家重点基础研究发展计划更多>>
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基于B样条构造高精度拟插值被引量：6
《复旦学报（自然科学版）》2010年第4期506-512,共7页徐志伟 吴宗敏 
国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2006cb303102);上海市科学技术委员会资助项目(08DZ2271900)
给出了在非均匀节点情形下用任意k阶B样条作为基函数构造具有高次局部多项式再生性质拟插值的一种方法,并用此方法构造出在无限区间R上具有k-1次多项式再生和k阶收敛阶性质的高精度拟插值(㏑f)(x).进一步地,利用B样条的相关性质由(㏑f)...
关键词：非均匀B样条 多项式再生 高精度拟插值 
用于测试CMOS输出驱动器电流变化率的新电路
《Journal of Semiconductors》2001年第8期1075-1080,共6页徐栋麟 郭新伟 徐志伟 任俊彦 
提出了一种新的用于测试 CMOS输出驱动器电流变化率的电路结构 .它把片上电感引入到测试系统中作为对实际封装寄生电感的等效 ,从而排除了测试时复杂的芯片 -封装界面的影响 .这种电路结构不仅可以用于实际测算输出驱动器的性能指标 ,...
关键词：输出驱动器 电流变化率 CMOS VLSI 集成电路 
用于电源接收器和信号传感器的硅基集成电感的建模与设计优化被引量：1
《复旦学报（自然科学版）》2001年第1期13-17,22,共6页徐志伟 张屹华 闵昊 郑增钰 
对于硅基集成电感进行的电磁效应分析 ,在适当的近似下 ,可以简化为电学和磁学集总参数的运算 ,基于此建立了硅基集成电感的电学方程模型 .开发了一个电源接收器的参数提取和设计优化器AntennaOptimiz er.利用这一工具 ,可以优化得到不...
关键词：硅基集成天线 RF电路 集成电感 等效电路 电源接收器 信号传感器 
电荷泵电路的动态分析被引量：3
《固体电子学研究与进展》2001年第1期21-28,共8页徐志伟 闵昊 郑增钰 
详细分析了电荷泵的动态工作特性 ,给出了电荷泵电压上升时间及瞬态电流与电路的关系。基于这些分析 ,可以得到电荷泵的功耗来源和电压上升与充电电容的关系 ,同时还对电荷泵电路的电压产生的限制作出了分析。文末给出了整个分析结果与 ...
关键词：电荷泵电路 专用集成电路 动态分析 SPICE 
一种结构新颖的压控环形振荡器被引量：4
《微电子学》2000年第3期193-195,198,共4页徐志伟 郑增钰 
提出了一种新颖的压控环形振荡器的电路实现结构 ,着重分析了该压控振荡器的线性度。该电路全部由 MOS管实现 ,因而易于集成在先进的片上系统中。该线性环形振荡器是片上天线无线通讯测试系统的一个部分 ,用特许半导体公司的 0 .6μm
关键词：压控振荡器 AOS 片上系统 
适合低功耗工作的MOS电荷泵被引量：5
《微电子学》2000年第2期136-140,共5页徐志伟 肖斌 闵昊 郑增钰 
提出了两种适合在低功耗条件下工作的电荷泵电路 ,预充电电荷泵采用预充电机制提高了电荷泵的工作效率 ;而 Domino电荷泵则采用内部电路控制电荷泵充电电容的充放电 ,不仅降低了功耗 ,同时均化了瞬态功耗。这解决了电荷泵在充电期间功...
关键词：MOS 电荷泵 集成电路 低功耗 
一种非接触式IC卡控制器的设计被引量：2
《半导体技术》2000年第2期57-60,共4页肖斌 秦东 徐志伟 孙承绶 
介绍了 ISO/ IEC144 4 3中 Type B类型非接触式 IC卡实现抗冲突的算法 ,设计了一种适用于非接触式IC卡的具有抗冲突功能控制逻辑的 VL SI结构 ,并用 VHDL 语言进行了仿真。电路中提出了确定时间片的伪随机算法来实现抗冲突功能。用 1μm...
关键词：非接触式 IC卡 控制器 设计 
数字视频编码器用DDS的设计与实现被引量：3
《微电子学》2000年第1期22-24,34,共4页徐阳 徐志伟 闵昊 
提出了一种应用于数字视频编码器中直接数字频率合成器(DDS)的设计方案。通过优化调度策略,使内嵌ROM阵列的大小仅为普通方法的八分之一。仿真结果表明该方法的相位误差为0.15%,PAL制式要求产生副载波信号的SNR为66dB,NTSC制式时的SNR为...
关键词：频率合成器 视频编码器 VLSI DDS 
一种高电源抑制比CMOS能隙基准电压源被引量：11
《微电子学》1999年第2期128-131,140,共5页刘韬 徐志伟 程君侠 
介绍了一个采用０．６μｍ数字ＣＭＯＳ工艺制作的能隙基准电压源电路，该电路具有小的硅片面积（０．０６ｍｍ２）、高电源抑制比和较低温度系数。在该电路应用于高精度电路的偏置系统时，还可增加改善输出偏置电流温度系数的电路。
关键词：能隙基准电压源 电源抑制比 温度系数 IC 
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