采用金-金键合工艺制备垂直结构氮化镓发光二极管(英文)  

Au -Au Wafer Bonding in Vertical -Structure GaN LED Fabrication

作　　者：欧欣[1] 陈静[1] 武爱民[1] 孙家胤[1] 

机构地区：[1]信息功能材料国家重点实验室中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海200050

出　　处：《功能材料与器件学报》2010年第3期276-280,共5页Journal of Functional Materials and Devices

摘　　要：本文在采用键合工艺制备以硅为衬底的氮化镓发光二极管的工艺过程中分别尝试采用金-金,金-硅,铝-铝,铝-硅键合对。研究发现金-金键合对得到了100%的键合面积。键合工艺结束后,采用KrF激光分离氮化镓发光二极管的器件层和原蓝宝石衬底。通过超声波造影仪(SAM)和扫描电子显微镜(SEM)研究了金属键合工艺过程中相应的键合机制。Metallic bonding including Au - Au, Au - Si, A1 - A1 and A1 - Si bonding were attempted, and the Au - Au diffusion bonding with the best interface quality and nearly 100% bonded area was used to fabricate the vertical InGaN - GaN light - emitting diodes （LEDs） on 50 - mm Si substrate. After the wafer bonding, a KrF excimer laser was used to separate the GaN layer from the grown sapphire substrate. The underlying mechanisms in above metallic bonding pairs were investigated by scanning acoustic micrographs （SAM） and scanning electron microscope （SEM）.

关 键 词：晶圆键合 氮化镓 发光二极管 剥离 

分 类 号：TP212.9[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]