不同型号PMOSFETs的剂量率效应研究  

Dose-rate effects on PMOSFETs of various types

作　　者：兰博[1,2] 郭旗[1] 孙静[1] 崔江维[1,2] 李茂顺[1,2] 费武雄[1,2] 陈睿[1,2] 赵云[1,2] 

机构地区：[1]中国科学院新疆理化技术研究所,新疆电子信息材料与器件重点实验室,乌鲁木齐830011 [2]中国科学院研究生院,北京100049

出　　处：《核技术》2010年第7期543-546,共4页Nuclear Techniques

摘　　要：对比研究了国内外五种不同型号的PMOSFETs,在不同剂量率、不同偏置条件下的辐照响应特性;并对高剂量率辐照后的器件进行了与低剂量率辐照等时的室温退火。结果表明,随着辐照累积剂量的增加,所有器件阈值电压的漂移都更加明显;不同型号的器件在不同条件下,表现出了时间相关(TDE)和低剂量率损伤增强(ELDRS)两种不同的剂量率效应。因此,ELDRS效应在PMOSFETs器件中并不是普遍存在的。The total-dose response and annealing effect of p-channel metal oxide semiconductor field-effect transistors （PMOSFETs） of different types, i.e. HCF4007UB of ST, Italy; CC4007B, a homemade transistor in China, and 3SJ11A, 2SJ196 and 2SJ178 of NEC, Japan; were investigated at different dose rates and bias conditions. The results show that the shift of threshold voltage increases with the total-dose. Under various conditions, different dose-rate effects （time-dependent effect and enhanced low-dose-rate sensitivity） can be observed for the types of devices. So the radiation-induced ELDRS in the PMOSFETs is not a universal phenomenon.

关 键 词：PMOSFETS 偏置 剂量率 时间相关效应 低剂量率损伤增强效应 

分 类 号：TN322.8[电子电信—物理电子学]