沉积法制备TaN薄膜的研究现状及其应用  

Research Status and Application of Tantalum Nitride Thin Film by Deposition

作　　者：高亮[1] 杨建广[1] 陈胜龙[1] 杨济豪[1] 吴玉山[1] 

机构地区：[1]中南大学冶金科学与工程学院,长沙410083

出　　处：《材料导报》2010年第13期20-25,共6页Materials Reports

基　　金：国家自然科学基金(50804056);中国博士后基金项目(20080431028)

摘　　要：TaN薄膜是一种重要的高新技术材料,主要介绍了物理气相沉积法(PVD)、金属有机化学气相沉积法(MOCVD)和原子层沉积法(ALD)制备TaN薄膜的工艺技术,评述了它们各自的优缺点。从前驱体的选择方面详细评述了MOCVD法和ALD法制备TaN薄膜的研究进展,比较和评述了各类前驱体的优缺点。总结了TaN薄膜的应用现状以及薄膜制备过程中的主要影响因素,并简要展望了其发展方向。TaN thin film is a kind of important novel material. The preparation methods of TaN thin film by physical vapor deposition（PVD）, metal organic chemical vapor deposition （MOCVD） and atomic layer deposition （ALD） are reviewed, including their merits and demerits. Recent advances in the choice of precursors in the process of MOCVD and ALl） for TaN film are recommended. The advantages and disadvantages of these precursors are compared and reported. Applications of TaN thin film and attentions in preparation are discussed. The prospect is presented.

关 键 词：PVD MOCVD ALD TaN薄膜 前驱体 

分 类 号：TB34[一般工业技术—材料科学与工程]