氧化过程中杂质分凝行为的模拟  

The Simulation of Impurity Segregation Action in the Oxidizing Process

作　　者：李惠军[1] 

机构地区：[1]山东工业大学

出　　处：《山东科学》1999年第1期48-50,共3页Shandong Science

摘　　要：本文以ＰＭＯＳ结构为研究对象，对其绝缘栅栅氧化过程进行了计算机动态模拟。提出了抑制杂质分凝的栅氧化新模式。In this paper,PMOS structure was taken as a object of the study,the oxidizing process of insulated grid is simulated dynamically by computer.A new model of grid oxidation for inhibiting impurity segregation was proposed.

关 键 词：微电子技术 MOS结构 绝缘栅 栅氧化 杂质分凝 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学] TN386.105