Si基GaN外延生长  

GrowthofGaNonSiSubstrate

作　　者：陈鹏[1] 沈波[1] 周玉刚 陈志忠 臧岚 

机构地区：[1]南京大学物理系固体物理研究所

出　　处：《固体电子学研究与进展》1999年第2期199-202,共4页Research & Progress of SSE

基　　金：国家863计划;教育部博士点基金;自然科学基金;国家攀登计划;南京市科委基金

摘　　要：报道了在光辐射加热低压ＭＯＣＶＤ（ＲＴＰ／ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）系统上，用Ｓｉ衬底成功生长了ＧａＮ外延薄膜。利用ＸＲＤ、拉曼光谱、霍耳测量及室温光致发光谱对外延薄膜进行了表征，初步的肖特基结制作表明了外延薄膜具有一定的器件质量。GaNepilayerissuccessfullygrownonSisubstrateusingRTP/LPMOCVD.ThepropertiesoftheepilayerarecharacterizedbyXRD,Ramanspectra,Hallmeasurement,andphotoluminescencespectra.TherectifyingeffectofSchottkyjunctionshowsfairlygoodqualityoftheepilayer.

关 键 词：化学汽相沉积 氮化镓 外延生长 硅基 

分 类 号：TN304.23[电子电信—物理电子学] TN304.054