原子光刻  

ATOM LITHOGRAPHY 

作　　者：蔡惟泉[1] 李传文[1] 霍芸生[1] 王育竹[1] 

机构地区：[1]中国科学院上海光学精密机械研究所量子光学开放研究实验室

出　　处：《物理学报》1999年第4期611-619,共9页Acta Physica Sinica

基　　金：国家自然科学基金;上海市科学技术发展基金

摘　　要：介绍了根据量子光学的最新成果———激光冷却和捕陷中性原子的原理而发展出的一种新型纳米级刻印技术———原子光刻．介绍了该项技术的基本原理、总体方案、单元技术及刻印结果，将这项新技术与其他微刻印方法进行了比较，展望了其应用于微电子学等领域的前景．Abstract A new nanometer lithographic techniqueatom lithography,which is developed based on the principles of laser cooling and trapping of neutral atomsthe newest achievements of quantum optics,has been reviewed.The working principles,the overall schemes,the individual techniques and the acquired results are described.This new method has been compared with the existing micro lithographic techniques,and the application potentialities in the micro electronics and other fields have been discussed.

关 键 词：原子光刻 刻印 量子光学 激光冷却 原子捕陷 

分 类 号：O562[理学—原子与分子物理] O431[理学—物理]