检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:陈学梅[1]
机构地区:[1]合肥师范学院物理与电子工程系,安徽合肥230061
出 处:《合肥师范学院学报》2010年第6期25-28,共4页Journal of Hefei Normal University
摘 要:由于稀磁半导体(DMS)潜在的应用前景,近年来许多研究小组开始了对过渡金属(TM)掺杂ZnO形成稀磁半导体的研究。综述了TM掺杂ZnO的磁性起源的三种理论解释,并且调研了几种不同的TM掺杂对ZnO薄膜结构和性能的影响,特别是对磁学性质的影响。In recent years,many teams have begun the research on diluted magnetic semiconductors(DMSs): ZnO-doped transition-metal due to the potential applications.The origin of ferromagnetism and properties of ZnO films with different TM are summarized,especially the effects on the magnetic properties.
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