聚硅烷(紫外光敏材料)的氧等离子体处理特性  

作　　者：谢茂浓[1,2] 傅鹤鉴[1,2] 

机构地区：[1]四川联合大学物理系 [2]四川联合大学化学系

出　　处：《Journal of Semiconductors》1999年第6期525-528,共4页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：红外吸收谱分析表明，聚硅烷（ＰｏｌｙｍｅｔｈｙｌＰｈｅｎｅｔｈｙｌＳｉｌａｎｅ，ＰＭＰＥＳ）在氧等离子体处理后转变成ＰＳｉＯｘ膜，ＰＳｉＯｘ中的ｘ在１．５～２之间，其高频Ｃ－Ｖ特性曲线的平带电压为正，大小与氧等离子处理条件和ＰＭＰＥＳ厚度有关．

关 键 词：聚硅烷 氧等离子体处理 紫外光敏材料 

分 类 号：TN304.52[电子电信—物理电子学]