一维半导体高聚物中的激子态和发光性质及局部晶格畸变所产生的影响——Lanczos严格对角化方法  

EXCITON STATES AND LUMINESCENT PROPERTIES IN ONE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR POLYMER AND THE EFFECT OF LATTICE DISTORTION 

作　　者：熊烨[1] 

机构地区：[1]南京大学物理系,固体微结构国家重点实验室

出　　处：《物理学报》1999年第6期1138-1146,共9页Acta Physica Sinica

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：应用Ｌａｎｃｚｏｓ严格对角化方法在具有电子电子强关联效应的情况下，研究一维高聚物半导体中激子态的能量和波函数的特性，并以此为基础计算了在有局部晶格畸变时激子态的变化及其对发光性质的影响，并发现在一定的互作用参数下。Abstract We use Lanczos exact diagonalization method to analyze the energy and the wave functions of exciton states in one dimensional semiconductor polymer with electron electron interactions. On the basis of this we further calculate the effect of the local lattice distortion on the exciton states and luminescent properties and find that the efficiency of luminescence is proportional to the strength of local lattice distortion under special electron electron interaction parameters.

关 键 词：半导体 高聚物 电致发光 激子态 局部晶格畸变 

分 类 号：TN304.5[电子电信—物理电子学] O472[理学—半导体物理]