熊烨

作品数：1被引量：2H指数：1
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发文主题：半导体高聚物发光性质激子态电致发光更多>>
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一维半导体高聚物中的激子态和发光性质及局部晶格畸变所产生的影响——Lanczos严格对角化方法被引量：2
《物理学报》1999年第6期1138-1146,共9页熊烨 
国家自然科学基金
应用Ｌａｎｃｚｏｓ严格对角化方法在具有电子电子强关联效应的情况下，研究一维高聚物半导体中激子态的能量和波函数的特性，并以此为基础计算了在有局部晶格畸变时激子态的变化及其对发光性质的影响，并发现在一定的互作用参数下。
关键词：半导体 高聚物 电致发光 激子态 局部晶格畸变 
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