移相掩模应用技术  

Phase Shifting Mask Application Technology

作　　者：贾海强[1] 张玉清[1] 张慕义[1] 李岚[1] 

机构地区：[1]信息产业部电子第十三研究所

出　　处：《半导体技术》1999年第2期28-29,共2页Semiconductor Technology

摘　　要：一种用于大栅宽器件的移相掩模应用技术是将移相器边缘线用作不透明掩模，以代替铬图形。利用此移相掩模技术，制作了特征线长为０．１５μｍ的微细栅条和大栅宽器件。We have introduced a phase shifting mask technology which can be used in power GaAs devices.With this technology,the gate length can reach 0 15μm.

关 键 词：亚半微米 移相掩膜 半导体集成电路 应用 

分 类 号：TN430.57[电子电信—微电子学与固体电子学]