张慕义

作品数:6被引量:2H指数:1
导出分析报告
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文主题:单片集成电路砷化镓MMICGAASGAAS功率更多>>
发文领域:电子电信更多>>
发文期刊:《Journal of Semiconductors》《半导体技术》《河北省科学院学报》更多>>
所获基金:国家重点实验室开放基金更多>>
-

检索结果分析

署名顺序

  • 全部
  • 第一作者
结果分析中...
条 记 录,以下是1-6
视图:
排序:
宽带GaAs MMIC功率放大器的设计被引量:1
《河北省科学院学报》2005年第3期19-22,共4页张务永 王翠卿 王生国 王同祥 张慕义 
国家科技重点实验室基金(514320501030Z2301)
概述了GaAs MMIC放大器的技术发展,探讨了功率单片的设计技术.介绍了一种S/C波段宽带GaAs MMIC功率放大器的设计与工艺制作情况.该芯片采用有耗匹配电路结构,利用HFET工艺制作,在3~6GHz频段内饱和输出功率达到3W,功率增益大于23dB,输...
关键词:宽带 MMIC 功率 HFET 有耗匹配 
GaAs单片集成激光器驱动电路在片测量被引量:1
《Journal of Semiconductors》2000年第10期1010-1013,共4页孙伟 田小建 孙建国 衣茂斌 张慕义 张玉清 马振昌 
用多触头微波探针 ,对 Ga As单片集成激光器驱动电路芯片进行了在片测试和筛选 ,测得芯片频率响应带宽为 3.8GHz.使用高速增益开关半导体激光器作为采样光脉冲源 ,采用了背面直接采样方式建立了电光采样测试仪 .检测了 Ga As单片集成激...
关键词:在片测量 砷化镓 单片集成电路 激光器 驱动电路 
移相掩模应用技术
《半导体技术》1999年第2期28-29,共2页贾海强 张玉清 张慕义 李岚 
一种用于大栅宽器件的移相掩模应用技术是将移相器边缘线用作不透明掩模,以代替铬图形。利用此移相掩模技术,制作了特征线长为0.15μm的微细栅条和大栅宽器件。
关键词:亚半微米 移相掩膜 半导体集成电路 应用 
微波毫米波功率单片电路CAD
《半导体情报》1998年第2期28-34,共7页高学邦 孙先花 梁亚平 张玉清 张慕义 王同祥 
从功率FET大信号建模、功率MMIC设计方法以及CAD同工艺因素的结合等方面论述了功率单片电路的CAD应用技术。
关键词:功率单片 大信号建模 电路模拟 MMIC CAD 
8毫米GaAs功率单片集成电路
《半导体情报》1997年第1期29-31,共3页张慕义 张玉清 高学邦 王勇 李岚 
介绍了以栅宽0.4mm 器件为基础的8mm 单级单片 IC 的设计、制造及性能测试等。该单片在32~33GHz,输出功率大于100mw,增益大于3dB,最大输出功率达150mW。
关键词:毫米波 砷化镓 单片集成电路 
10~11GHz 1W GaAs功率单片集成电路
《半导体情报》1997年第1期32-35,共4页张玉清 张慕义 高学邦 李岚 王勇 孙先花 
介绍了以栅宽1.2mm GaAs FET 器件为基础的两级 GaAs 功率单片集成电路的设计、制作及其性能。该两级单片集成电路在10~11GHz 频带内,输出功率1W,增益10dB。
关键词:砷化镓 单片集成电路 设计 
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部